横浜国立大学機能表面創生研究室（井上研究室）

Cu-SiCNハイブリッド接合は、接合面のプラズマ表面活性化により、 絶縁膜の機械的な接合と金属の電気的な接合を一度に達成する手法です。

このCu-SiCNハイブリッド接合は、異種デバイスをウエハ上で積層するWafer-to-Wafer接合技術の中でもデザイン性と精度に優れることから、昨今高い注目を集め、技術開発が進められています。